Protective sheet for processing semiconductor wafer and polishing method of rear surface of semiconductor wafer

半導体ウエハ加工用保護シート及び半導体ウエハの裏面研削方法

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a protective sheet for processing a semiconductor wafer capable of suppressing the warpage of a semiconductor wafer to be small even if a large sized wafer is made ultra-thin by a back grind process, and to provide the polishing method of the rear surface of the semiconductor wafer using the protective sheet. SOLUTION: In the protective sheet for processing a semiconductor wafer used for protecting the surface of the semiconductor wafer having undergone pattern formation upon polishing the rear surface of the semiconductor wafer, the protective sheet includes an intermediate layer composed of at least a first intermediate layer and a second intermediate layer between the base member and an adhesive agent layer, the tensile elasticity of the base member is ≥0.6 GPa, the tensile elasticity of the first intermediate layer provided between the base member and the second intermediate layer is less than 1 MPa, and further the tensile elasticity of the second intermediate layer is 1 MPa to 0.6 GPa. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI
【課題】 大型ウエハをバックグラインド工程により超薄型化した場合にも、半導体ウエハの反りを小さく抑えることができる半導体ウエハ加工用保護シートを提供すること。また、当該保護シートを用いた半導体ウエハの裏面研削方法を提供すること。 【解決手段】 半導体ウエハの裏面を研削する際に、パターン形成された半導体ウエハ表面を保護するために用いる半導体ウエハ加工用保護シートにおいて、前記保護シートは、基材と粘着剤層との間に、少なくとも第1中間層及び第2中間層からなる中間層を有しており、基材の引張り弾性率が0.6GPa以上であり、基材と第2中間層との間に設けられた第1中間層の引張り弾性率が1MPa未満であり、かつ第2中間層の引張り弾性率が1MPa〜0.6GPaであることを特徴とする半導体ウエハ加工用保護シート。 【選択図】 なし

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Patent Citations (7)

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