半導体装置

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To realize a semiconductor device with high performance equipped with a gate electrode or gate wiring, having low resistance and high thermal resistivity. <P>SOLUTION: A gate electrode or gate wiring is configured as a laminate structure of three or more layers, and for example, a first conductive layer 106a/second conductive layer 106b/third conductive layer 106c are formed. Furthermore, the width of the second conductive layer is made narrower than that of the first conductive layer and that of the third conductive layer. Then, the first conductive layer and the third conductive layer are constituted of high melting-point metal. Accordingly, a semiconductor device with high performance can be realized. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI
【課題】低抵抗、且つ高耐熱性を有するゲート電極またはゲート配線を備えた高性能な半導体装置を実現する。 【解決手段】ゲート電極またはゲート配線を三層以上の積層構造とし、例えば、第1の導電層106a/第2の導電層106b/第3の導電層106cを形成する。さらに、第2の導電層の幅は、第1の導電層及び第3の導電層の幅よりも狭いことを特徴とする。そして第1の導電層及び第3の導電層は高融点金属でなる。これにより高性能な半導体装置を実現できる。 【選択図】図1

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